Las películas delgadas de semiconductores de sulfuro de estaño (SnS) se depositaron mediante la sulfurización química orgánica de capas metálicas de estaño para su aplicación como foto-absorbente en células solares. Las películas delgadas metálicas de 100-200 nm de Sn depositadas por sputtering de magnetrón DC se sulfuraron en una corriente de vapor de di-tert-butil-disulfuro (TBDS) con un flujo de 100 sccm de N2 a presión atmosférica a temperaturas de 300, 350 y 400 °C durante 90 minutos. El estudio de difracción de rayos X muestra la formación de una película monofásica policristalina de SnS en una estructura cristalina ortorrómbica con orientación dominante (111) a 300 °C y una mejor cristalinidad con inclusión de fases menores de SnS2 y Sn2S3 a 350 °C. El análisis espectral Raman muestra modos de vibración dominantes de 92 cm-1 y 222 cm-1 de Ag y B1u, así como modos de vibración de menor intensidad de 141 y 164 cm-1 de B2u y B3g pertenecientes al SnS. La sulfuración a 350 °C dio lugar a picos Raman adicionales de 147,6 y 176,7 cm-1 asignados a los modos B2u y B1u de la fase SnS, lo que coincide con el estudio de difracción. La aparición de picos Raman a 152 y 308 cm-1 indica el crecimiento de las fases SnS2 y Sn2S3 junto al SnS en las películas sulfurizadas a 400 °C. Las películas de SnS sulfurizadas a 350 °C muestran brechas de banda indirectas y directas de 1,1 y 1,56 eV, respectivamente, y los correspondientes valores más altos de 1,42 y 2,07 eV para las películas de SnS sulfurizadas a 400 °C. Basándose en los resultados de microestructura, difracción y dispersión Raman, así como en los estudios de transmisión óptica a tiempos de sulfurización más bajos, se propone el mecanismo esencial de formación de la película de SnS y el de la inclusión de fases secundarias.