Les films minces semi-conducteurs de sulfure d’étain (SnS) ont été déposés par sulfuration chimique organique en phase vapeur de couches d’étain métallique pour une application comme photo-absorbeur dans les cellules solaires. Des couches minces d’étain métallique de 100-200 nm déposées par pulvérisation magnétron à courant continu ont été sulfurées dans un courant de vapeur de di-tert-butyl-disulfure (TBDS) avec un flux de N2 de 100 sccm sous pression atmosphérique à des températures de 300, 350 et 400 °C pendant 90 minutes. L’étude de diffraction des rayons X montre la formation d’un film de SnS polycristallin monophasé dans une structure cristalline orthorhombique avec une orientation dominante (111) à 300 °C et une meilleure cristallinité avec une inclusion mineure de phases SnS2 et Sn2S3 à 350 °C. L’analyse du spectre Raman montre des modes de vibration dominants de 92 cm-1 et 222 cm-1 Ag et B1u ainsi que des modes de vibration de moindre intensité 141 et 164 cm-1 B2u et B3g appartenant au SnS. La sulfuration à 350 °C a entraîné l’apparition de pics Raman supplémentaires à 147,6 et 176,7 cm-1 attribués aux modes B2u et B1u de la phase SnS, en accord avec l’étude de diffraction. L’émergence de pics Raman à 152 et 308 cm-1 indique la croissance des phases SnS2 et Sn2S3 à côté du SnS dans les films sulfurés à 400 °C. Les films de SnS sulfurisés à 350 °C présentent des bandes interdites indirectes et directes de 1,1 et 1,56 eV, respectivement, et des valeurs supérieures correspondantes de 1,42 et 2,07 eV pour les films de SnS sulfurisés à 400 °C. Sur la base des résultats de la microstructure, de la diffraction et de la diffusion Raman, ainsi que des études de transmission optique à des temps de sulfuration inférieurs, le mécanisme essentiel de la formation des films SnS et celui de l’inclusion de phases secondaires sont proposés.