Az ónszulfid (SnS) félvezető vékonyrétegeket fém ónrétegek szerves kémiai gőzkénezésével vitték fel napelemekben fotoabszorberként való alkalmazás céljából. A DC magnetronos porlasztással leválasztott 100-200 nm-es fémes Sn vékonyrétegeket di-tert-butil-diszulfid (TBDS) gőzáramban kéneztük 100 sccm N2 áramlással, atmoszférikus nyomáson, 300, 350 és 400 °C hőmérsékleten 90 percig. A röntgendiffrakciós vizsgálat polikristályos, egyfázisú SnS film kialakulását mutatja orthorombikus kristályszerkezetben, domináns (111) orientációval 300 °C-on és javuló kristályosságot, kisebb SnS2 és Sn2S3 fázis bevonásával 350 °C-on. A Raman-spektrumelemzés 92 cm-1 és 222 cm-1 Ag és B1u, valamint kisebb intenzitású 141 és 164 cm-1 B2u és B3g rezgésmódokat mutat, amelyek az SnS-hez tartoznak. A 350 °C-on történő kénezés további 147,6 és 176,7 cm-1 Raman-csúcsokat eredményezett, amelyek az SnS fázis B2u és B1u rezgésmódjaihoz rendelhetők, összhangban a diffrakciós vizsgálattal. A 152 és 308 cm-1-es Raman-csúcsok megjelenése az SnS2 és Sn2S3 fázisok növekedésére utal az SnS mellett a 400 °C-on kénezett filmekben. A 350 °C-on kénezett SnS-filmek 1,1 és 1,56 eV-os közvetett és közvetlen sávhézagot mutatnak, a 400 °C-on kénezett SnS-filmek esetében pedig magasabb, 1,42 és 2,07 eV-os értékeket. A mikroszerkezeti, diffrakciós és Raman-szórás eredmények, valamint az alacsonyabb kénezési időknél végzett optikai transzmissziós vizsgálatok alapján az SnS film kialakulásának és a másodlagos fázisok beépülésének lényeges mechanizmusát javasoljuk.