In de halfgeleiderfysica is een acceptor een doteringsatoom dat, wanneer het aan een halfgeleider wordt toegevoegd, een p-type gebied kan vormen.
Wanneer bijvoorbeeld silicium (Si), dat vier valentie-elektronen heeft, als een p-type halfgeleider gedoteerd moet worden, kunnen elementen uit groep III zoals boor (B) of aluminium (Al), dat drie valentie-elektronen heeft, worden gebruikt. Deze laatste elementen worden ook driewaardige verontreinigingen genoemd. Andere driewaardige doteringsmiddelen zijn indium (In) en gallium (Ga).
Wanneer het een Si atoom in het kristalrooster vervangt, vormen de drie valentie-elektronen van boor covalente bindingen met drie van de Si buren, maar de binding met de vierde buur blijft onbevredigd. De aanvankelijk elektronneutrale acceptor wordt negatief geladen (geïoniseerd). De onbevredigde binding trekt elektronen aan van de naburige bindingen. Bij kamertemperatuur zal een elektron uit een naburige binding springen om de onbevredigde binding te herstellen, waardoor een gat ontstaat (een plaats waar een elektron tekort is). Het gat zal opnieuw een elektron van de naburige binding aantrekken om deze onvoldane binding te herstellen. Dit kettingachtige proces heeft tot gevolg dat het gat door het kristal beweegt en stroom kan dragen, zodat het als ladingsdrager fungeert.