Filmes finos semicondutores de estanho (SnS) foram depositados por sulfatação química orgânica de vapor de camadas metálicas de estanho para aplicação como foto-absorvente em células solares. Películas finas metálicas de Sn Sn 100-200 nm depositadas por pulverização de magnetron DC foram sulfurizadas em fluxo de vapor di-terc-butil-dissulfureto (TBDS) com fluxo de 100 sccm N2 sob pressão atmosférica a temperaturas de 300, 350 e 400 °C durante 90 min. O estudo de difração de raios X mostra a formação de filme policristalino monofásico SnS em estrutura de cristal ortopédico com orientação dominante (111) a 300 °C e melhor cristalinidade com inclusão de fase menor SnS2 e Sn2S3 a 350 °C. A análise espectral Raman mostra os modos de vibração dominante 92 cm-1 e 222 cm-1 Ag e B1u, assim como os modos de vibração de menor intensidade 141 e 164 cm-1 B2u e B3g pertencentes ao SnS. A sulfatação a 350 °C levou a picos Raman adicionais 147,6, e 176,7 cm-1 atribuídos aos modos B2u, e B1u de fase SnS consistente com o estudo da difração. A emergência dos picos Raman a 152 e 308 cm-1 indicam o crescimento da fase SnS2 e Sn2S3 junto com SnS em filmes sulfurados a 400 °C. Os filmes de SnS sulfurados a 350 °C mostram aberturas de banda direta e indireta de 1,1 e 1,56 eV, respectivamente, e valores superiores correspondentes de 1,42 e 2,07 eV para filmes de SnS sulfurados a 400 °C. Com base nos resultados da microestrutura, difração e dispersão Raman, assim como estudos de transmissão óptica em tempos de sulfatação mais baixos, é proposto o mecanismo essencial da formação do filme SnS e da inclusão de fases secundárias.