Filmele subțiri semiconductoare de sulfură de staniu (SnS) au fost depuse prin sulfurarea chimică organică în fază de vapori a straturilor metalice de staniu pentru aplicarea ca fotoabsorbant în celulele solare. Filmele subțiri de Sn metalic de 100-200 nm depuse prin pulverizare magnetronică DC au fost sulfurate în curent de vapori de di-terț-butil-disulfură (TBDS) cu un flux de 100 sccm N2 sub presiune atmosferică la temperaturi de 300, 350 și 400 °C timp de 90 min. Studiul de difracție a razelor X arată formarea unei pelicule monocristaline monocristaline de SnS în structură cristalină ortorombică cu orientare dominantă (111) la 300 °C și o cristalinitate îmbunătățită cu incluziuni minore de fază SnS2 și Sn2S3 la 350 °C. Analiza spectrală Raman arată moduri de vibrație dominante de 92 cm-1 și 222 cm-1 Ag și B1u, precum și moduri de vibrație de mai mică intensitate 141 și 164 cm-1 B2u și B3g aparținând SnS. Sulfurarea la 350 °C a condus la apariția unor vârfuri Raman suplimentare de 147,6 și 176,7 cm-1 atribuite modurilor B2u și B1u ale fazei SnS, în concordanță cu studiul de difracție. Apariția unor vârfuri Raman la 152 și 308 cm-1 indică o creștere a fazelor SnS2 și Sn2S3 alături de SnS în filmele sulfurate la 400 °C. Peliculele de SnS sulfurate la 350 °C prezintă benzi interzise indirecte și directe de 1,1 și, respectiv, 1,56 eV și valori corespunzătoare mai mari de 1,42 și 2,07 eV pentru filmele de SnS sulfurate la 400 °C. Pe baza rezultatelor microstructurii, difracției și împrăștierii Raman, precum și a studiilor de transmisie optică la timpi de sulfurare mai mici, se propune un mecanism esențial de formare a filmului SnS și cel al includerii fazelor secundare.
.